[发明专利]用激光处理半导体器件的方法无效
| 申请号： | 95119630.8 | 申请日： | 1995-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1143369C | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 香西孝真;张宏勇;宫永昭治 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所;夏普公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/477 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴增勇;张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 用激光处理半导体器件的方法。进行两步独立的激光结晶步骤。先在真空中用稍弱激光进行激光辐照，然后在真空中，在大气或氧气气氛下用较强激光进行另一激光辐照步骤，在真空中所进行的第一步激光辐照不能导至满意的结晶。然而，该辐照能抑制皱脊的产生。在真空，大气或氧气环境中的第二步激光辐照获得满意的结晶，而且不产生皱脊。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 处理 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用激光处理半导体器件的方法，包括：第一步，在等于或低于100Pa的压力下用激光辐照所述器件；和第二步，在第一步之后再用激光辐照所述器件，其中，在第一步中辐照激光的扫描方向垂直于在第二步中辐照激光的扫描方向；和在第二步中用的激光辐射的能量密度高于第一步中用的激光辐照的能量密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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