[发明专利]具有双沟道的薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 95120154.9 | 申请日： | 1995-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1040381C | 公开（公告）日： | 1998-10-21 |
| 发明（设计）人： | 印圣旭;金允基 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 孙履平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造薄膜晶体管的方法，包括备置氧化层；蚀刻氧化层的一部分，以形成一个凹槽；由此形成第１沟道层；在包含凹槽区域部分的第１沟道层上形成第１栅氧化层；由此形成一多晶硅层，填入凹槽中；深蚀刻多晶硅层直至第１栅氧化层的部分表面，留下已从第１栅氧化层露出的在第１沟道层上的残余层；在多晶硅层上形成第２栅氧化层；由此再形成第２沟道层；以及注入杂质离子，用以形成源／漏区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟道 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管，包括：绝缘层、沟道层、及栅氧化层，其特征在于，所说的绝缘层具有一个凹槽，所说的沟道层为第一沟道层形成在该绝缘层上，所说的栅氧化层为第一栅氧化层，形成在包含该凹槽区域部分的第一沟道层上，并且具有：一第1多晶硅层，用于一栅电极，它填充于该第1栅氧化层的该凹槽区域内；一第2多晶硅层，形成在该第1沟道层上，其中，由第1和第2多晶硅层及第1栅氧化层制成的所获得结构的上表面具有一致的布局；一第2栅氧化层，形成在该第1多晶硅层上；以及一第2沟道层，形成在所得的结构上，且与该第2多晶硅层进行电连接；因此，该源/漏区由该第1沟道层、第2多晶硅层和第2沟道层的多层组成。
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