[发明专利]产生正负高压的电源输出电位复位电路无效

专利信息
申请号: 95120259.6 申请日: 1995-11-28
公开(公告)号: CN1126112C 公开(公告)日: 2003-10-29
发明(设计)人: 中井宏明;小林真一;三原雅章 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 杜日新
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 当输出节点(106)输出第三电源电位的状态被切换到输出第二电源电位的状态时,第二电源电位的馈送单元经由第一P沟道MOSFET(tp1)被连接到输出节点(106)。而且,当第一P沟道MOS-FET(tp1)被关断时,亦即当第三电源电位被输出到输出节点(106)时,第三电源电位也加到第一P沟道MOSFET(tp1)的栅极。因此,即使当输出节点(106)的电位升至第三电源电位时,此晶体管也不接通。于是第二电源电位(Vcc)同输出节点(106)彼此恰当地电隔离。
搜索关键词: 产生 正负 高压 电源 输出 电位 复位 电路
【主权项】:
1.一种复位电路,它从外部被馈以第一电源电位、高于上述第一电源电位的第二电源电位、以及高于上述第二电源电位的第三电源电位,并且响应可在第一和第二信号电平电位之间进行切换的外部信号(RS),将向输出节点(106)的电位输出由上述第三电源电位切换到上述第二电源电位,该复位电路包含:一个馈以上述第一电源电位的第一输入节点(110);一个馈以上述第二电源电位的第二输入节点(109);一个根据上述外部信号而选择性地同上述第三电源电位耦合和去耦合的第三输入节点(108);一个根据上述外部信号的电位电平而选择性地输出上述第一电源电位和上述第三电源电位的控制电路;一个其栅极接收上述控制电路输出且其漏极连接于上述第二输入节点的第一P沟道MOSFET(tp1);以及一个连接于上述第三输入节点以及上述第一P沟道MOSFET的源极和背栅极的输出节点(106)。
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