[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 95120287.1 | 申请日： | 1995-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1106694C | 公开（公告）日： | 2003-04-23 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;竹村保彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/02 | 分类号： | H01L29/02;H01L29/786;H01L21/336;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,马铁良 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 制造无沿台阶型薄膜晶体管(TFT)的方法，有效地减少寄生电容和使晶体管彼此隔离。把催化剂元素，例如是镍，加入对应TFT的源极/漏极区的区域中，或者形成催化剂元素的层或者催化剂元素的化合物的层。本征非晶硅膜形成在该区或者是催化剂元素或它的化合物的层上。该叠层结构高温退火，以向非晶硅扩散催化剂元素。在源极/漏极区的周围非晶硅膜选择性地结晶。结果，在其他的区产生了高电阻区。不产生沟道。该TFT可以彼此隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：一对半导体区，每个所述半导体区包含N或P型杂质；本征半导体层，具有位于上述一对半导体区之间的第一部分，和不位于上述一对半导体区之间的第二部分；栅绝缘膜，在上述本征半导体层上形成；和栅电极，在上述栅绝缘膜上形成；上述半导体层的第一部分包括晶态半导体，而上述第二部分包括非晶态半导体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/95120287.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：字符显示控制装置
- 下一篇：二氢吲哚－2－酮衍生物,其制备方法及其药物组合物
- 同类专利
- 专利分类
