[发明专利]注入氟的多晶硅缓冲局部氧化半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 95121117.X | 申请日： | 1995-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1057870C | 公开（公告）日： | 2000-10-25 |
| 发明（设计）人： | 庄敏宏;王志贤;倪诚聪 | 申请（专利权）人： | 台湾茂矽电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8232 | 分类号： | H01L21/8232;H01L21/265 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 黄敏 |
| 地址： | 台湾省新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明为一种利用氟离子的注入以避免器件有源区形成凹洞的半导体器件的制造方法，其步骤包含有，形成衬垫层于硅基片上，在衬垫层上沉积一多晶硅缓冲层，注入氟离子至多晶硅缓冲层，沉积一氧化硅层，限定器件有源区，形成场氧化物层，去除氮化硅层，干蚀刻多晶硅缓冲层，及蚀刻衬垫层，以露出有源区硅基片表面。 | ||
| 搜索关键词： | 注入 多晶 缓冲 局部 氧化 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种注入氟的多晶硅缓冲局部氧化半导体器件的制造方法，其步骤包含：在硅基片上形成氧化硅衬垫层；在该衬垫层上沉积一多晶硅缓冲层；将氟离子注入该缓冲层；沉积一氮化硅层；限定器件有源区；形成场氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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