[发明专利]在半导体器件上形成互连的方法和半导体器件上的互连件无效
| 申请号： | 95190256.3 | 申请日： | 1995-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1111907C | 公开（公告）日： | 2003-06-18 |
| 发明（设计）人： | Ｓ·－Ｈ·洪 | 申请（专利权）人： | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正,张志醒 |
| 地址： | 瑞典斯德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了用于微电路互连的两类金属化方案PtSi/TiW/TiW(N)/Au(第一类)和PtSi/TiW/TiW(N)/TiW/Au(第二类)及相关工艺。该金属化方案及工艺可应用到与小至1.5μm或更小金属间距互连的集成电路中，对于持续高温和大电流工作条件，该金属化方案是可靠的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 互连 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体器件上形成互连的方法，所述的方法包括下列步骤：在硅衬底上形成一个绝缘层；在上述绝缘层上形成一个接触孔，以暴露上述衬底的一部分；用上述接触孔，在上述衬底上形成一个PtSi层；用上述接触孔，在上述PtSi层上形成一个TiW层；用上述接触孔，在上述TiW层上形成一个TiW(N)层；及用上述接触孔，在上述TiW(N)层上形成一个Au层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾利森电话股份有限公司，未经艾利森电话股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/95190256.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
