[发明专利]光和辐射的半导体探测器及其制造方法

摘要

为了提供用于探测光和辐射并把它们转变为电信号的高速低功耗的半导体探测器，用具有衬底背偏的PMOS晶体管作为探测单元，并排列在具有比N型衬底浓度高的n-井中，用于形成耗尽层的P+层排列在与形成PMOS晶体管半导体探测器相同的表面上。

主权项

1.一种光和辐射的半导体探测器，该探测器至少包括半导体单元，其中MOS晶体管和耗尽层形成装置在同一半导体衬底上以预定间距形成，该耗尽层形成装置用于形成在所述MOS晶体管的衬底区中扩展的耗尽层，还包括用于将反向偏压加到所述耗尽层形成装置的装置，其特征在于，由入射光和辐射进入所述耗尽层引起的MOS晶体管衬底区电势变化作为所述MOS晶体管的输出而被检测。