[发明专利]磁信号检测装置无效
申请号: | 95190793.X | 申请日: | 1995-08-23 |
公开(公告)号: | CN1087077C | 公开(公告)日: | 2002-07-03 |
发明(设计)人: | 嶋村宽;三谷觉 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09;G01D5/16;G11B5/39 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种采用铁磁薄膜磁致电阻元件的磁信号检测装置,其利用小的偏磁磁场,通过使薄膜磁致电阻元件在磁化方向实现最佳产生高线性度的最大输出。沿相对于电流I的方向即在基片(1)上的薄膜磁致电阻元件的长度方向成近于56°的方向施加偏磁磁场Hb,使磁化强度M的方向约为45°,以便在电源端(4,5)之间得到高线性的输出。#! | ||
搜索关键词: | 信号 检测 装置 | ||
【主权项】:
1.一种磁信号检测装置,包含:各向异性的电阻元件(2),在一基片上其表面与磁信号记录表面以面对面的方式或垂直的方式配置,并且由铁磁金属薄膜构成;以及磁场施加装置(3),用于相对所述电阻元件按预定角度施加偏磁磁场;以及一个连接到电阻元件的输出端;其特征在于,设定利用所述磁场施加装置施加偏磁磁场的方向(Hb),以便相对于流经所述电阻元件的电流方向满足如下公式的要求:α=±(Sin-1((Ku+Ks)/H×M)+θ)其中θ为45°或135°,α为电流方向和偏磁磁场方向之间的角度,Ku是各向异性能,Ks是轮廓各向异性能,H是偏磁磁场强度,M是饱和磁化强度。
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