[发明专利]薄膜太阳能电池无效
申请号: | 95191011.6 | 申请日: | 1995-10-04 |
公开(公告)号: | CN1096119C | 公开(公告)日: | 2002-12-11 |
发明(设计)人: | 近藤正隆;林克彦;石川敦夫;仓田慎一郎;山岸英雄 | 申请(专利权)人: | 钟渊化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 甘玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及可以提高内面电极层的粘结度和反射率的薄膜太阳能电池,并提供了两种结构。其中,第1种薄膜太阳能电池是在绝缘性基板上依次叠层透明电极层、薄膜半导体层、内面电极层的薄膜太阳能电池,其特征在于,内面电极层是由比构成薄膜半导体导之半导体折射率低的第1透明导电性金属化合物层、第2透明导电性金属化合物层和金属层构成的,同时第2透明导电性金属化合物层至少含有第1透明导电性金属化合物层的构成成分和金属层构成成分中的一种,第1透明导电性金属化合物层是金属氧化物,具体的是氧化铟锡、氧化锡、氧化锌中一种。或者薄膜半导体层使用化合物半导体时,其中第1透明导电性金属化合物层也可以使用硫化镉。作为第2种薄膜太阳能电池是在绝缘性极板上依次叠层透明电极层、薄膜半导体层、内面电极层的薄膜太阳以电池,其特征在于,内面电极层是由含有银和氧和构成透明导电性金属氧化物的金属元素的中间薄层和银膜的叠层体,构成透明导电性金属氧化物的金属元素是锌。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
1、薄膜太阳能电池,是在绝缘性基板上依次叠层透明电极层、薄膜半导体层、内面电极层的薄膜太阳能电池,基特征在于,内面电极层是由比构成薄膜半导体层的半导体折射率低的第1透明导电性金属化合物层、第2透明导电性金属化合物层和金属层构成的,同时第2透明导电性金属化合物层至少含有第1透明导电性金属合物层的构成成分和金属层构成成分中的一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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