[发明专利]生产中子吸收元件的含有铟与镉的银基合金及其应用无效
| 申请号： | 95191098.1 | 申请日： | 1995-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1137838A | 公开（公告）日： | 1996-12-11 |
| 发明（设计）人： | F·德弗特;L·皮雷特 | 申请（专利权）人： | 法玛通公司;科吉玛公司 |
| 主分类号： | G21C7/24 | 分类号： | G21C7/24 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 全菁 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 该合金含有9-12原子％的铟和4-5.35原子％的镉，除极少量不可避免的杂质外，其余由银组成。该合金优选含有9-10原子％的铟和4.35-5.35原子％的镉。该合金能够以安放在管状外壳内的块状或棒状形式使用，以便构成用于控制压水核反应堆反应性的棒束的中子吸收元件。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 中子 吸收 元件 含有 合金 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.用于生产核反应堆堆芯中中子吸收元件的含铟与镉的银基合金，其特征在于，该合金含有9-12原子％的铟和4-5.35原子％的镉，除极少量不可避免的杂质外，其余由银组成。
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