[发明专利]光掩模坯料无效
申请号: | 95191612.2 | 申请日: | 1995-02-10 |
公开(公告)号: | CN1122876C | 公开(公告)日: | 2003-10-01 |
发明(设计)人: | H·U·阿尔培;R·H·弗伦奇;F·D·卡尔克 | 申请(专利权)人: | 杜邦光掩公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 董巍,傅康 |
地址: | 美国得克*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了可透过预埋移相器-光掩模坯料,它包括一种光学非均匀性衰减薄膜,该薄膜在平印波长下至少具有0.001的透射,而且实质上是由多种成分的组合构成的,其中一种成分比另一种成分在平印波长下具有更高的吸收率。距离薄膜表面的一种深度,比另一种深度具有较高吸收成分的较高含量,并且贯穿此薄膜厚度的折射率和/或消光系数变化曲线是渐变的。上述变化曲线和薄膜厚度可进行选择,以在选定的平印波长下提供约180°或其奇数倍的相位移。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 坯料 | ||
【主权项】:
1.一种对于选定的平印波长可透过的预埋移相器-光掩模坯料,包括带有上表面和下表面的非均匀性衰减薄膜,该薄膜在平印波长下至少具有0.001的透射度,而且实质上是由至少两种成分的组合构成的,其中至少一种成分比至少一种其它成分在平印波长下具有更高的吸收率;其中距离薄膜上表面的一种深度,比距离此上表面的另一种深度具有更高的上述较高吸收成分的含量,并且贯穿此薄膜厚度的无论在衰减薄膜中的什么位置的折射率变化曲线、消光系数变化曲线或者上述两种变化曲线都是渐变的;而且其中所述的变化曲线和薄膜的厚度可进行选择,以在选定的平印波长下提供约180°或其奇数倍的相位移。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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