[发明专利]可辐射固化聚硅氧烷脱离组合物及涂覆材料无效
| 申请号： | 95191916.4 | 申请日： | 1995-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1143346A | 公开（公告）日： | 1997-02-19 |
| 发明（设计）人： | W·E·基唐;T·V·诺古根;T·V·李 | 申请（专利权）人： | 艾弗里·丹尼森公司 |
| 主分类号： | B32B7/12 | 分类号： | B32B7/12;B32B15/04;B32B9/04;B32B9/06;C08G77/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 周中崎 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 介绍了一种可辐射固化聚硅氧烷脱离组合物，它包括(A)一种具有(I)式RSi(CH3)2-O-(Si(CH3)2O)n(Si(CH3)(R)O)mSi(CH3)2R特征的有机聚硅氧烷混合物，其中该混合物包含(A-1)重量从约25％到95％具有(I)式特征的至少一种有机聚硅氧烷，式中每个R为-R1-O(O)C-C(R2)=CH2，R1为亚烃基，R2为H、甲基或乙基，m是从大约1到大约15的数，n为从大约50到300的数，和(A-2)重量从约5％到75％具有(I)式特征的至少一种另外的有机聚硅氧烷，式中R为-R1-OCH2CH(OH)-CH2O(O)C-C(R2)=CH2，R1为亚烃基，R2为H、甲基或乙基，m是从大约1到25的数，n是从大约50到300的数，以及(B)重量从0％到大约5％的光引发剂。还介绍了制备聚硅氧烷脱离型涂覆材料、这样制备的脱膜涂覆制件、以及结合聚硅氧烷脱离层的多层制件或构件的方法。当该聚硅氧烷组合物固化时如通过电子射线辐照，固化的组合物在如标签制作的高速下显示所需大和可控的脱离力。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 固化 聚硅氧烷 脱离 组合 材料 | ||
【主权项】：
1.一种可辐射固化聚硅氧烷脱离组合物，包含：(A)一种具有下式特征的有机聚硅氧烷的混合物：RSi(CH3)2-O-(Si(CH3)2O)n(Si(CH3)(R)O)mSi(CH3)2R(I)其中该混合物包含：(A-1)重量从约25％到约95％具有(I)式特征的至少一种有机聚硅氧烷，其中每个R为-R1-O(O)(C-C(R2)＝CH2，R1为亚烃基，R2为H或甲基或乙基，m为从大约1到大约15的数，n为从大约50到大约300的数，(A-2)重量从约5％到约75％具有(I)式特征的至少一种另外的有机聚硅氧烷，式中每个R为-R1-OCH2CH(OH)2O(O)C-C(R2)＝CH2，R1为亚烃基，R2为氢、甲基或乙基，m为从大约1到大约25的数，n为从大约50到大约300的数(B)重量从0％到大约5％的光引发剂。
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