[发明专利]电路装置及适用于该电路装置的结型场效应晶体管

摘要

本发明涉及用于如放电灯较大功率的一种电路装置。利用半导体电流限制器部件保护电路装置，耐大电流，特别是由启动影响或瞬变影响引起的大电流。电流限制器部件包括具有如n-型的给定导电类型的半导体基片(5)。在半导体基片的上下表面设置主电极，还包括用高掺杂接触区(8、9)连接半导体基片的金属电极(10、11)。如此设置插入区的掺杂(浓度)，使得当主电极之间电压升到某一电压时，则电流达到饱和。在第1实施例中，在插入区形成埋入的浮置P-型区(12)，使元件成为具有浮栅的结型场效应晶体管。在第2实施例中选择中间层(21)的厚度和/或掺杂浓度，则由于速度饱和而限制电流。上述电流限制器部件非常适用于具有放电灯的系统，因为它耐高电压，高耗散，能在两方向通过电流，此外能用简单方法进行制造，所以它非常便宜。

主权项

1.一种利用电源电压运作负载的电路装置，设有：输入端，用于连接电压源的两极；电路部件，用于限制因加电源电压在运作期间流过输入端的输入电流，该电路部件包括具有两个主电极(10，11)的半导体元件，该主电极连接电路装置的接点，使输入电流通过两个主电极，其特征是，半导体元件包含以后称为第1导电类型的某一导电类型的半导体基片，其中两个主电极(10，11)设置在两个相互对置的表面上，所述两个表面中的每一个与一个区(8，9)相连，所述区(8，9)具有比半导体基片(5)的邻接部分高的掺杂浓度，半导体基片(5)位于较高掺杂区(8，9)之间，如此选择其掺杂，使得当主电极之间的电压大于给定电压时，电流达到饱和。