[发明专利]利用一个伪静态四晶体管存储单元的高速缓冲存储器

摘要

本发明公开了一种带有一交叉耦合晶体管(Q10，Q11)和一对传递门(Q12，Q13)的四—晶体管存储单元。在位线预充电期间，四晶体管存储单元通过位线(BL，BL#)和内结点(90，92)之间输送电荷而被刷新。

主权项

1.一种高速缓冲存储器，包括：一个存储单元阵列，它以行和列形式布置，每一行具有一条字线，每一列具有一条第一位线和一条第二位线，每一存储单元具有连接到一个第一结点和一个第一工作电压之间的一个第一晶体管；连接到一个第二结点和该第一工作电压之间的一个第二晶体管，第一和第二晶体管的栅极分别连接到第二和第一结点，使得第一结点存储一个数据位，第二结点存储该数据位的补码；连接到所述第一位线和所述第一结点之间的一个第三晶体管，第三晶体管的栅极连接到所述字线以有选择地将所述第一结点耦合到所述第一位线；以及连接到所述第二位线和所述第二结点之间的一个第四晶体管，所述第三晶体管的栅极连接到所述字线以有选择地将第二结点耦合到所述第二位线；其特征在于：还包括行泽码器装置，用于在对存储单元进行预充电期间对该阵列一个所选择的行和列的一个存储单元上叠加一个刷新周期。