[发明专利]只读存储器单元的结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 95195345.1 申请日: 1995-09-14
公开(公告)号: CN1159865A 公开(公告)日: 1997-09-17
发明(设计)人: W·克劳兹奇尼德;L·列斯彻;F·霍夫曼;W·罗斯纳 申请(专利权)人: 西门子公司
主分类号: H01L27/112 分类号: H01L27/112;H01L21/8246
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 马铁良,萧掬昌
地址: 联邦德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一个只读存储器单元结构包括处于一个由半导体材料构成的衬底上的各具有一纵向MOS晶体管的存储单元,其中,不同的逻辑值(0,1)通过不同的栅介质(27,28)的厚度实现。特别的,存储单元结构在一硅衬底上能够以少的处理步骤和高的封装密度生产。存储单元结构和读出驱动电路以集成的方法生产。
搜索关键词: 只读存储器 单元 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1.只读存储器单元结构-在这种结构中,提供了基于半导体材料的衬底(11),它包括安排在主表面区域中单元域内的存储单元;-在这种结构中,每个存储单元均包括一个具有两个源/漏区域(16a,16b)、一沟道区域(11)、一栅介质(18、15)和一栅极(19a)的MOS晶体管,它的源/漏区域(16a)之一和一参考线相连,它的另一源/漏区(16b)和一位线相连,它的栅极(19a)和一字线相连,并且在这种结构中,源/漏区(16a,16b)之间的电流基本垂直于主表面;-在这种结构中,存储单元首先包括这样一种存储单元,在它里面以下列方式存储第一个逻辑值,即安排栅介质(18)的厚度,以至于当选择信号作用于字线(19a)时,电流流过位线(16b);-在这种结构中,存储单元首先包括这样一种存储单元,在它里面以下列方式存储第二个逻辑值,即安排栅介质(18)的厚度,以致于当选择信号作用于字线(19a)时,没有电流流过位线(16b)。
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