[发明专利]只读存储器单元的结构及其制造方法无效
申请号: | 95195345.1 | 申请日: | 1995-09-14 |
公开(公告)号: | CN1159865A | 公开(公告)日: | 1997-09-17 |
发明(设计)人: | W·克劳兹奇尼德;L·列斯彻;F·霍夫曼;W·罗斯纳 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | H01L27/112 | 分类号: | H01L27/112;H01L21/8246 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 马铁良,萧掬昌 |
地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一个只读存储器单元结构包括处于一个由半导体材料构成的衬底上的各具有一纵向MOS晶体管的存储单元,其中,不同的逻辑值(0,1)通过不同的栅介质(27,28)的厚度实现。特别的,存储单元结构在一硅衬底上能够以少的处理步骤和高的封装密度生产。存储单元结构和读出驱动电路以集成的方法生产。 | ||
搜索关键词: | 只读存储器 单元 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.只读存储器单元结构-在这种结构中,提供了基于半导体材料的衬底(11),它包括安排在主表面区域中单元域内的存储单元;-在这种结构中,每个存储单元均包括一个具有两个源/漏区域(16a,16b)、一沟道区域(11)、一栅介质(18、15)和一栅极(19a)的MOS晶体管,它的源/漏区域(16a)之一和一参考线相连,它的另一源/漏区(16b)和一位线相连,它的栅极(19a)和一字线相连,并且在这种结构中,源/漏区(16a,16b)之间的电流基本垂直于主表面;-在这种结构中,存储单元首先包括这样一种存储单元,在它里面以下列方式存储第一个逻辑值,即安排栅介质(18)的厚度,以至于当选择信号作用于字线(19a)时,电流流过位线(16b);-在这种结构中,存储单元首先包括这样一种存储单元,在它里面以下列方式存储第二个逻辑值,即安排栅介质(18)的厚度,以致于当选择信号作用于字线(19a)时,没有电流流过位线(16b)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西门子公司,未经西门子公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/95195345.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于传递有关商品信息的装置
- 下一篇:提高植物的产量
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的