[发明专利]掩模数目减少的MOS栅控器件生产工艺

摘要

一种掩模减少用于制作MOS栅控器件，比如功率MOSFET的工艺，使用第一掩模(33)顺序形成单元体(50)和单元体(50)中的源区(51)，再用第二掩模工序通过硅腐蚀在每个单元的硅表面形成中心开口(80、81)，接着底割环绕中心开口(80、81)的氧化物(60)。然后接触层(84)填入每个单元的开口(80、81)，把体(50)和源区(51)连接起来。在该工艺中只有一道苛刻的掩模对准工序被使用。

主权项

1.一种MOS栅控半导体器件的生产工艺；该工艺包括的工序为：在硅衬底上形成栅极绝缘材料层，在栅极绝缘材料层上形成多晶硅层，在多晶硅层上形成第一光刻胶层，通过采用第一光刻掩模工序在第一光刻胶层中形成许多分离的开口以露出多晶硅层部分；对通过光刻胶层中的许多分离开口露出的多晶硅层部分进行腐蚀，以露出硅衬底表面的对应表面区；把第一导电类型杂质扩散进硅衬底的上述表面区以形成第一扩散区；把第二导电类型杂质扩散进硅衬底表面的上述表面区以形成第二扩散区，其中在硅衬底的每个上述表面区的第二扩散区具有比第一扩散区小的最终深度和横向长度；此后在器件的上表面上淀积第二绝缘层，在第二绝缘层上形成第二光刻胶层，通过和第一掩模工序对准的第二光刻工序在第二光刻胶层中形成许多中心开口，这些中心开口和在第一光刻掩模工序中形成的许多分离开口中的相应开口沿中心对准；上述每个中心开口的横向长度都比相应的第二扩散区横向长度小，其边壁和硅衬底表面所在平面相垂直；腐蚀掉第二绝缘层通过中心开口露出的部分，以露出下面各自相应的硅衬底第二表面区；在硅衬底第二表面区中腐蚀出凹陷，其深度大于第二扩散区的深度，在第二绝缘层中环绕硅衬底第二表面区腐蚀形成底割部分，以露出在硅衬底上和上述表面的底割部分相邻的衬底表面部分，此后，在表面上淀积导电层，由此该导电层既在上述凹陷的底部接触第一扩散区，又在上述底割部分的上部接触第二扩散区，还接触该底割部分的周围表面；第一扩散区掺杂较高并紧紧包围相应的一个第二扩散区，以减少穿通击穿和漏源泄漏，并在第二扩散区下面产生低阻电流输送途径。