[发明专利]三色传感器

摘要

一种基于非晶硅及其合金的光敏电子元件，它包含二个彼此反向串联连接的p-i-n或n-i-p或肖特基接触结构。有源层按正常方式沿光入射方向安排。在沿光入射方向的第一结构区中，由蓝光产生的载荷子被敏感而产生第一电压(V1)，而在沿光入射方向的第二结构区中，由红或绿光产生的载荷子被敏感而产生第二(V2)和第三(V3)电压。二个本征导电层中至少一个由二个畸性层构成。为获得优良光谱选择性，第一畸性层(I)中载荷子迁移率与寿命的乘积(μτ乘积)较高，而第二畸性层(II)中的载荷子适移率与寿命的乘积(μτ乘积)较低，以使畸性层(I、II)在电场存在时具有不同的载荷子敏感长度。因此光入射方向中第一畸性层(I)吸收更多绿光，光入射方向中第二畸性层(II)吸收更多红光。

主权项

1.一种基于非晶硅及其合金的光敏电子元件，它包含二个彼此反向串联的p-i-n或n-i-p或肖特基接触结构，其中各情况下的有源层以通常方式沿光入射方向安排，从而在沿光入射方向的第一结构区域中，蓝光所产生的载荷子为第一电压收集；而在沿光入射方向的第二结构区中，绿或红光所产生的载荷子为第二或第三电压收集，从而二个本征导电层中至少一个由二个畸性层构成，此光敏电子元件的特征是，在位于沿光入射方向的前部的畸性层(I)中，载荷子迁移率和寿命的乘积(μτ乘积)较高；而在位于光入射方向的后部的畸性层(II)中，μτ乘积至少小10倍，以这种方式，此二个畸性层(I、II)在存在电场的情况下具有不同的载荷子收集长度，以致在位于光入射方向的前部的畸性层(I)中，绿光被增强吸收，而在位于光入射方向的后部的畸性层(II)中，红光被增强吸收。