[发明专利]使用混合电极的多晶铁电电容器异质结构无效
| 申请号： | 95196323.6 | 申请日： | 1995-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN1164295A | 公开（公告）日： | 1997-11-05 |
| 发明（设计）人： | R·雷米西 | 申请（专利权）人： | 贝尔通讯研究股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76;H01L31/062 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 白益华 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明披露了显示极佳抗疲劳和印记的铁电电容器异质结构，包括高导电性铂(14)与结晶金属氧化物(15)的混合电极和无需插入结晶定向模板的淀积于Si-CMOS-相容的衬底(11)上的铁电材料(16)。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 混合 电极 多晶 电容器 结构 | ||
【主权项】：
1.一种包含具有以硅化合物打底的表面的硅衬底和生长在所述表面上的至少一种结晶铁电材料层的铁电电容器异质结构，其特征在于在所述异质结构上生长一层为所述异质结构提供导电性的金属，且又在其上生长一层金属氧化物层为所述铁电层形成一混合电容器电极衬底。
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