[发明专利]具有垂直MOS晶体管的只读存储单元装置的制造方法

摘要

为了制造具有第一类和第二类存储单元的只读存储单元装置，其中第一类存储单元包括一垂直MOS晶体管，第二类存储单元不包括垂直MOS晶体管，在具有对应于源(1)、沟道(2)和漏(11)的层顺序的硅基片(1)上为第一存储单元刻蚀孔(13)，这些孔设置有栅介质(14)和栅电极(15a)。为了隔离相邻存储单元制造绝缘沟(7)，其间距最好等于其宽度。

主权项

1.制造只读存储单元装置的方法，-其中，在半导体基片1的主平面(3)上制成一单元区(5)，该区具有第一类存储单元(18)，在这些单元中存储第一逻辑值，并且这些单元包括至少一个垂直于主平面(3)的MOS晶体管，和该区具有第二类存储单元(19)，在这些单元中存储第二逻辑值并且这些单元不包含MOS晶体管，-其中，半导体基片(3)由第一种导电类型掺杂和具有第一掺杂区(2)，该区域由一个与第一导电类型相反的第二导电类型所掺杂并且该区在单元区(5)的范围内与主平面(3)邻接，-其中，制成多个基本上平行的条状绝缘沟(7)，这些沟从主平面(3)通过第一掺杂区(2)直至进入半导体基片(1)，-其中，制成第二个由第一种导电类型所掺杂的区域(11)，该区域具有比第一掺杂区(2)较浅的深度并与主平面(3)邻接，-其中，为制造垂直MOS晶体管开若干孔(13)，这些孔从主平面(3)穿过第一掺杂区(2)直至进入半导体基片(1)，并且其表面具有栅介质(14)和栅极(15)。