[发明专利]借一种阳离子迁移膜进行的无水卤化氢向卤素气体的电化学转化无效

专利信息
申请号: 95197898.5 申请日: 1995-12-13
公开(公告)号: CN1209848A 公开(公告)日: 1999-03-03
发明(设计)人: F·J·弗雷雷;W·H·兹梅尔曼;P·塔塔普迪;J·A·特赖哈姆三世;小C·G·劳;J·S·纽曼;D·J·艾梅斯 申请(专利权)人: 纳幕尔杜邦公司
主分类号: C25B1/24 分类号: C25B1/24;C25B1/26;C25B9/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 魏金玺,王景朝
地址: 美国特拉华*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种用于将基本上无水的卤化氢转变为基本上干燥的卤素气体的电化学池、系统和方法。本发明的方法可用于将无水卤化氢,尤其是氯化氢,氟化氢,溴化氢和碘化氢转变成一种卤素气体,例如氯,氟,溴或碘。特别是在本发明中以不同方式在阴极上向阳离子迁移膜提供水。本发明便于回收在膜的阴极侧的一种被排出的流体,并使被回收的流体循环回膜的阴极侧。这样便可以将被回收的排出流体循环,以向膜连续供给水,从而使池的极限电流提高和/或得到控制。
搜索关键词: 一种 阳离子 迁移 进行 无水 卤化 卤素 气体 电化学 转化
【主权项】:
1.一种用于从基本无水的卤化氢直接生产基本干燥的卤气的方法,其中:(a)基本无水的卤化氢分子被加料到电化学池的一个入口,并迁移到池的一个阳极;(b)基本无水的卤化氢分子在该阳极上被氧化,产生基本干燥的卤气和质子;(c)质子迁移通过池的一个阳离子迁移膜;(d)迁移的质子在电化学池的一个阴极上被还原;以及(e)将一个润湿气流供给该膜。
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