[实用新型]一种由过电压保护元件构成的过电压保护装置无效
| 申请号： | 95203325.9 | 申请日： | 1995-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN2238500Y | 公开（公告）日： | 1996-10-23 |
| 发明（设计）人： | 孙丹峰 | 申请（专利权）人： | 孙丹峰 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H01C7/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市长江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型是用于硅变流设备的由电力半导体过电压的保护元件为主组成的过电压保护装置。包括三种元件结构和三种用于三相桥式晶闸管变流设备的晶闸管过电压保护装置。其中三种过电压保护装置可同时抑制晶闸管变流器进出线双侧侵入变流器的操作过电压、吸收大浪涌能量并可吸收晶闸管的换相过电压和高次谐波电压。本实用新型适用于各种硅变流设备中的各种电力半导体器件的过电压保护和浪涌能量的吸收，可以取代原有的阻容吸收保护、硒堆保护和普通压级电阻保护等常用的过电压保护元件及装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 过电压 保护 元件 构成 保护装置 | ||
【主权项】：
1.一种由过电压保护元件构成的过电压保护装置，其特征在于：包括以高能低场强的氧化锌压敏电阻片为主部件构成的电力半导体过电压保护装置。
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