[实用新型]一种高密度等离子体工艺装置无效
| 申请号： | 95209870.9 | 申请日： | 1995-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN2249451Y | 公开（公告）日： | 1997-03-12 |
| 发明（设计）人： | 刘训春;叶甜春;李晓民;王守武;钱鹤;徐维江;曹振亚;张学 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子中心 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 卢纪 |
| 地址： | 100010 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种由低压气体腔的腔座、绝缘罩以及射频线圈等部分组成，用于半导体精细加工的高密度等离子体工艺装置。该装置采用多阶层的塔状绝缘罩体，并使连续连接的一组多匝射频线圈按上下顺序围绕在塔状罩体的各阶层外壁上，其顶层与最下层线圈的线端经匹配电路与一射频电源相连。这样的装置能在更低气压范围内稳定地产生高密度等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 等离子体 工艺 装置 | ||
【主权项】：
1、一种适用于半导体精细加工，由低压气体腔的腔座、绝缘罩、射频电源、匹配电路以及射频线圈等部分组成的高密度等离子体工艺装置，其特征在于，所述绝缘罩是多阶层的塔状绝缘罩体，所述射频线圈是连续连接的一组多匝线圈，它按照上下次序围绕在塔状罩体的各阶层外壁上，它的顶层与最下层线端经所述匹配电路引接至所述射频电源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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