[实用新型]大回路闭合溅射轨迹柱状磁控靶无效

专利信息
申请号: 95219498.8 申请日: 1995-01-24
公开(公告)号: CN2239437Y 公开(公告)日: 1996-11-06
发明(设计)人: 郑世民;范毓殿;李云松 申请(专利权)人: 郑世民
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100026 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型涉及一种磁控溅射镀膜机所用的大回路闭合溅射轨迹的柱状磁控靶。该柱状靶的靶材为圆管,靶材两端置有N极板和S极板,靶管内部的空腔为水冷通道,中间置有N极靴、N极片、S极靴、S极片和永磁体。本实用新型设计的柱状磁控靶采用平行靶材的轴向的磁路系统,使溅射区与靶管轴向平行且形成大回路闭合溅射轨道,使溅射区沿靶管轴向均匀刻蚀,提高靶材利用率和镀膜均匀性。
搜索关键词: 回路 闭合 溅射 轨迹 柱状 磁控靶
【主权项】:
1.一种大回路闭合溅射轨迹柱状磁控靶,包括靶材、永磁体、水冷通道,其特征在于还包括N极板、N极靴、N极片和S极板、S极靴、S极片;所述的靶材为空心圆柱形靴管,N极板和S极板分别置于靶管的二端;靶管内部的空腔为水冷通道,S极片、永磁体和N极片依次相互间隔叠放成一圆柱体置于靶管的中央;N极靴有二块,极靴的一端与N极板相接并紧贴靶管内壁延伸,与各个N极片相接;S极靴有二块,极靴的一端与S极板相接并紧贴靶管内壁延伸,与各个S极片相接。
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