[发明专利]五段式碰撞脉冲锁模量子阱激光器

摘要

本发明“五段式碰撞脉冲锁模量子阱激光器”属信息技术领域。用于产生半导体超短光脉冲。本发明的五段式锁模激光器是在三段式结构的基础上，在吸收体和增益段之间引入两个“调节段”、调整其偏置条件，可以实现最强的碰撞脉冲效应、克服不均匀性和碰撞偏离的影响。有源区采用了五个周期InGaAsP量子阱结构,是理想的增益吸收介质。在激光器腔面蒸镀高反膜，两个端面的反射率相等，在５０％—６０％之间。目的在于克服自脉动。

主权项

1．一种五段式碰撞脉冲锁模量子阱激光器，其结构由一个限制有源区(9)及其两侧的两个电流限制区组成，限制有源区结构包括有，垂直于两端解理面的分层结构，即n型衬底(8)和衬底(8)上逐次生长的n型下盖层(7)，n型下限制层(6)，量子阱有源区(5)，P型上限制层(4)，P型上盖层(3)，高导层(2)及P型接触层(1)；自P型接触层(1)向下至量子阱有源层(5)的上表面经刻蚀将条形的限制有源区(9)分为三段，其中靠近两端解理面的留有的没有被刻蚀的都分是两个增益段(11)(15)，中间的没有被刻蚀的部分是一个可饱和吸收体段(13)；在增益段(11)(15)可饱和吸收体(13)的上表面，即P型接触层(1)的外表面上分别装有两增益段(11)(15)共有的一个电极(16)和一个吸收体电极(17)，在衬底(8)的下面，有n型接触层(10)用于引出公共地端电极(18)，本发明的特征在于两个增益段(11)(15)和可饱和吸收体(13)之间还平行的留有没被刻蚀的两个调节段(12)(14)，两个调节段(12)(14)的上表面，即该两段的P型接触层(1)上分别装有调节电极(19)(20)，这将在两端解理面之间的限制有源区(9)分为五段：即增益段(11)，调节段(12)，吸收体段(13)，调节段(14)，增益段(15)，构成五段式碰撞脉冲锁模激光器；所说的量子阱有源层(5)采用阱垒五个周期结构，阱为1.55μmInGaAsP材料，垒为1.3μmInGaAsP材料；在两端解理面上还镀有高反膜(21)(22)，高反膜(21)(22)采用SiO2+ZrO2多层介质膜，两个端面的反射率相等，在50％-60％之间。