[发明专利]由掺杂硅的非晶体氢化碳所构成的电容器电介质无效
| 申请号： | 96100453.3 | 申请日： | 1996-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN1138737A | 公开（公告）日： | 1996-12-25 |
| 发明（设计）人： | 迈克·韦恩·丹佛;史蒂芬·马可·盖斯渥斯 | 申请（专利权）人： | 通用电器公司 |
| 主分类号： | H01G4/06 | 分类号： | H01G4/06;H01G4/08;H01G4/008;H01G13/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在大频率范围内具有高介电强度及低功耗因子的电容器包括有至少两个由至少一个电介质层分隔的导电层。电介质层为掺杂硅的非晶体氢化碳，它具有包括硅烷(优选)，四烷氧基硅烷和多有机硅氧烷的掺杂物。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 非晶体 氢化 构成 电容器 电介质 | ||
【主权项】：
1.一种含有至少两个由至少一个电介质层分隔开来的导电层的电容器，该导电层为硅含量约为1-10原子％的掺杂硅非晶氢化碳。
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