[发明专利]半导体激光装置及其制造方法无效
| 申请号： | 96100859.8 | 申请日： | 1996-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN1135671A | 公开（公告）日： | 1996-11-13 |
| 发明（设计）人： | 早藤纪生;元田隆 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S3/18 | 分类号： | H01S3/18;H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供可在圆片状态下简便地得到窗口结构可控性良好的半导体激光装置及其制造方法。本发明的半导体激光装置包括在具有(2，1，1)面的n型GaAs衬底26上以晶体生长方式形成晶体生长层2、10、11、12、6和7输出激光的(1，1，1)面上形成的窗口层19以及形成在晶体生长层中的接触层7上表面和n型GaAs衬底26的下表面上的电极8和9。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光装置，其特征具备：在{2，1，1}面的GaAs衬底上晶体生长形成的一jjj体生长层，该晶体生长层在第一和第二包层间至少具有一个有源层；在该晶体生长层的{1，1，1}面上形成一个窗口面；在该窗口面上层叠的一个窗口层，以及设置在上述晶体生长层的上表面和上述GaAs衬底的下表面上的电极。
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