[发明专利]用于半导体存储器件的自动模式选择电路无效
申请号: | 96102021.0 | 申请日: | 1996-01-02 |
公开(公告)号: | CN1121691C | 公开(公告)日: | 2003-09-17 |
发明(设计)人: | 金鼎筆 | 申请(专利权)人: | 现代电子产业株式会社 |
主分类号: | G11C5/00 | 分类号: | G11C5/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余朦 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种用于在半导体存储器件中自动选择低电压晶体管晶体管逻辑电路和高速输入/输出接口模式的自动模式选择电路,包括一个外部参考电压缓冲器,一个内部参考电压发生器,一个加电检测器,一个转换电路,一个连接在外部参考电压缓冲器和转换电路之间的参考电压检测器,一个比较器,和一个锁定电路。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 存储 器件 自动 模式 选择 电路 | ||
【主权项】:
权利要求书1.一种用于在半导体存储器件中自动选择低电压晶体管晶体管逻辑电路和高速输入/输出接口模式的自动模式选择电路,包括:外部参考电压供给装置,用于供给外部参考电压;内部参考电压发生装置,用于产生内部参考电压;加电检测装置,用于检测电源接通的时间点,然后针对一预定时间周期产生一个脉冲信号;转换装置,用于响应所述加电检测装置的输出信号,在来自所述外部参考电压供给装置的外部参考电压和来自所述内部参考电压发生装置的内部参考电压之间进行转换;连接在所述外部参考电压供给装置和所述转换装置之间的参考电压检测装置,用于检测来自所述外部参考电压供给装置的外部参考电压;比较装置,用于响应所述加电检测装置的输出信号,将来自所述参考电压检测装置的输出电压与来自所述内部参考电压发生装置的内部参考电压进行比较;和锁定装置,用于锁定来自所述比较装置的输出信号,并将被锁定的信号提供给输出端。
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