[发明专利]使用真空系统的半导体器件制造设备无效
| 申请号： | 96102265.5 | 申请日： | 1996-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1165637C | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 全在善;金元永;梁允模;蔡胜基 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/56 | 分类号： | C23C14/56 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种使用真空系统的半导体器件制造设备。在通入气体进气口的预定部分里安装加热源。在排气管的预定部分里安装通气速度控制阀，用于通过控制其开口度控制气体从装料预真空室向泵流动的速度。排气管具有不同直径的主管以降低通气速度。由于避免在装料预真空室中气体的绝热膨胀，所以能够减少凝聚-引起的微粒形成。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 真空 系统 半导体器件 制造 设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制造设备，包括：用于制作半导体器件的加工室；与上述的加工室的预定部分连通的装料预真空室，用于装传送到上述的加工室的半导体晶片；用来降低上述的装料预真空室压力的泵；把上述的装料预真空室与上述的泵连接的排气管，用来排除上述的装料预真空室的气体；和安装在上述的排气管的预定部分内的阀，其中，上述阀是用来控制从上述的装料预真空室向上述的泵流动的气体速度的通气速度控制阀，上述装料预真空室包括：把通入气体注入到上述的装料预真空室的通入气体进气口；和安装在通入气体进气口的预定部分的加热源。
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