[发明专利]半导体的封装方法无效
| 申请号： | 96102540.9 | 申请日： | 1996-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1057402C | 公开（公告）日： | 2000-10-11 |
| 发明（设计）人： | 稻垣彰宏;山村勲 | 申请（专利权）人： | 台湾通用器材股份有限公司;日本朋诺股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/29;B29C45/00;B29C43/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种封装半导体的方法，其包括将半导体封装在固化的环氧树脂组合物中，该组合物包含（Ａ）液体环氧树脂或可固化液体混合物，其包含环氧树脂和稀释剂；（Ｂ）无机填料；（Ｃ）如式（Ⅰ）或（Ⅱ）所表示的__盐化合物；（Ｄ）内含脱模剂，且实质上不含固化剂，其后模塑上述组合物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 方法 | ||
【主权项】：
1、一种封装半导体的方法，其包括：将半导体封装在可固化的环氧树脂组合物中，该组合物包含：(A)100重量份的液体环氧树脂或可固化液体混合物，其包含环氧树脂和稀释剂；(B)50-1000重量份的无机填料；(C)0.05-10重量份的如式(I)或(II)所表示的鎓盐化合物其中E为硫、氮或磷；Ar为芳环；当a为2时，R1相同或不同，为取代或未取代的单价烃基、羟基、烷氧基、硝基、氰基或卤素原子；每个R2和R3分别为氢原子或甲基；R4相同或不同，为取代或未取代的单价烃基；R5为取代或未取代的吡啶鎓基；a为0至2的整数；且当E为硫时b为2，或当E为氮或磷时b为3；和(D)0.05-10重量份的内含脱模剂，且不含有固化剂，其后模塑上述组合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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