[发明专利]一种电介质，其制造方法，和半导体器件无效
| 申请号： | 96102557.3 | 申请日： | 1996-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1139819A | 公开（公告）日： | 1997-01-08 |
| 发明（设计）人： | 福田琢也;金井史幸;加藤圣隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/70 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 冯赓宣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具有Si-F键和Si-O键的氟氧化硅薄膜被用于半导体期间的布线绝缘。且利用SiH2X2(X＝H，Cl，Br，OCH3，OC2H5，和OC3H5)气体作为反应物质形成电介质薄膜。可制造出布线延迟小可靠性高的半导体器件，因为具有Si-F键和Si-O键的氟氧化硅薄膜比具有Si-Si键和O-F键的氟氧化硅薄膜的介电常数小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电介质 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种电介质，包括在氟原子和硅原子间具有共价键的氟氧化硅化合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
