[发明专利]非易失存储器及其编程方法无效
| 申请号： | 96102817.3 | 申请日： | 1996-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN1107322C | 公开（公告）日： | 2003-04-30 |
| 发明（设计）人： | 崔雄林 | 申请（专利权）人： | LG半导体株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄敏 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一非易失存储单元包括有一浮动栅；一编程区域，具有到该浮动栅的第一电流通路，用来通过第一电流通路向该浮动栅提供电荷载流子或抽取在该浮动栅上所存贮的电荷载流子来进行编程；和一检验区域，具有一与第一电流通路分隔开的第二电流通路，用来在编程期间通过第二电流通路检验该浮动栅的电荷量。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失 存储器 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一非易失存储单元，包含：一浮动栅；一编程区域，具有连接到所述浮动栅的第一电流通路，用来通过所述第一电流通路向所述浮动栅提供电荷载流子或抽取在所述浮动栅中存贮的电荷载流子而进行编程；和一检验区域，具有连接到所述浮动栅并与所述第一电流通路相隔离的第二电流通路，用来在编程期间，通过所述第二电流通路检验所述浮动栅的电荷量。
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