[发明专利]热电变换装置无效
申请号: | 96102937.4 | 申请日: | 1996-03-04 |
公开(公告)号: | CN1135344C | 公开(公告)日: | 2004-01-21 |
发明(设计)人: | 渡辺日出男;小川吉彦;酒井一成;久野文雄;手塚弘房;木谷文一 | 申请(专利权)人: | 萨墨福尼克斯株式会社 |
主分类号: | F25B21/02 | 分类号: | F25B21/02;H01L35/30 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 孙敬国 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的热电变换装置具有:多个并列设置且电气串联的P型半导体层及N型半导体层;在这些半导体层的吸热侧配置的吸热侧热导体;在这些半导体层的放热侧配置的放热侧热导体;将该P型半导体层及N型半导体层电气串联且向该P型半导体层及N型半导体层通电的电极,在所述电极与热导体之间夹有高热传导性的硅脂或高热传导性的粘结剂,在该热导体的与该硅脂或者粘结剂相对的面上形成薄的电气绝缘膜,根据半导体层的厚度可以改变在该半导体层上通电的电流密度,半导体层的厚度薄时使电流密度变高,当半导体层的厚度厚时所述电流密度就变低。由此,通过调整能可靠地获得COP为0.6以上的装置,可提供效率高的热电变换装置。 | ||
搜索关键词: | 热电 变换 装置 | ||
【主权项】:
1.一种热电变换装置,具有:多个并列设置的电气上为串联连接的P型半导体层及N型半导体层;在这些半导体层的吸热侧配置的吸热侧热导体;在这些半导体层的放热侧配置的放热侧热导体;将所述P型半导体层及N型半导体层电气串联连接并且向所述P型半导体层及N型半导体层通电的电极;其特征在于,在所述电极与热导体之间夹有高热传导性的硅脂或高热传导性的粘结剂,在所述热导体的与所述硅脂或者粘结剂相对的面上形成薄的电气绝缘膜,根据所述半导体层的厚度可以改变在该半导体层上通电的电流密度,所述半导体层的厚度薄时使所述电流密度变高,当半导体层的厚度厚时所述电流密度就变低。
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