[发明专利]垂直腔表面发射激光器无效
申请号: | 96103174.3 | 申请日: | 1996-03-22 |
公开(公告)号: | CN1159808C | 公开(公告)日: | 2004-07-28 |
发明(设计)人: | 李用熙;申铉国 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01S3/085 | 分类号: | H01S3/085;H01S3/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 蒋世迅 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL),它具有基片、由含杂质的半导体材料形成的第一反射层、第一反射层之上的活性层、活性层之上由含有与用于第一反射层的半导体材料所含杂质的类型相反的杂质的半导体材料所形成的第二反射层、以及第二反射层之上具有发射来自第二反射层的光的腔的电极层。电极层具有导电性高并与外部电源相连的金属层和金属层之下并具有低于两个反射层反射率的导电性辅助反射层。 | ||
搜索关键词: | 垂直 表面 发射 激光器 | ||
【主权项】:
1.一种垂直腔表面发射激光器,包括:一个基片;第一反射层,在所述基片上由包含杂质的半导体材料形成;活性层,在所述第一反射层上形成并用于产生激光束;第二反射层,在所述活性层上由含有与用于第一反射层的半导体材料所含杂质类型相反类型的杂质的半导体材料所形成;以及电极层,形成于所述第二反射层上并具有用于发射来自所述第二反射层的光的腔,其特征在于,所述电极层包括一个金属层和一个导电性辅助反射层,该金属层具有高导电性,与外部电源相连,并且是沿光从第二反射层出射的那个方向形成的;该导电性辅助反射层形成于所述金属层的下面并且具有的反射率低于所述第一反射层、第二反射层、所述金属层的反射率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/96103174.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:接线盒
- 下一篇:多脉冲激光或强光发射方法