[发明专利]形成半导体器件中金属间绝缘层的方法无效
| 申请号： | 96104047.5 | 申请日： | 1996-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1072839C | 公开（公告）日： | 2001-10-10 |
| 发明（设计）人： | 赵景洙 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/768 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 黄敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成半导体器件中金属间绝缘层的方法，包括在半导体衬底上形成金属互连的步骤，还包括如下步骤在化学蒸汽淀积炉中使第一量的四乙基原硅酸盐气体和第一量的O＃-[3]气发生反应形成第一厚度的第一绝缘层，该厚度能够完全地充满金属互连之间的间隔；以及在第一绝缘层上；在同一炉中使第二量的四乙基原硅酸盐气体和第二量的O＃-[3]气发生反应形成第二厚度的第二绝缘层，其中，第二量的四乙基原硅酸盐气体少于第一量的四乙基原硅酸盐气体，第二量的O＃-[3]气基本上等于第一量的O＃-[3]气。$＃! | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 金属 绝缘 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成半导体器件中金属间绝缘层的方法，包括在半导体衬底上形成金属互连的步骤，其特征在于，该方法还包括如下步骤：在化学蒸汽淀积炉中使第一量的四乙基原硅酸盐气体和第一量的O3气发生反应形成第一厚度的第一绝缘层，该厚度能够完全地充满金属互连之间的间隔；以及在第一绝缘层上，在同一炉中使第二量的四乙基原硅酸盐气体和第二量的O3气发生反应形成第二厚度的第二绝缘层，其中，第二量的四乙基原硅酸盐气体少于第一量的四乙基原硅酸盐气体，第二量的O3气基本上等于第一量的O3气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
