[发明专利]制造薄膜晶体管的方法及设备无效
| 申请号： | 96104073.4 | 申请日： | 1996-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN1134600A | 公开（公告）日： | 1996-10-30 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,萧掬昌 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用催化元素使硅膜在低温结晶，改善有有源层岛的TFT(薄膜晶体管)的特性和可靠性的方法。将催化元素、如镍、加入非晶硅膜中，然后将非晶膜热退火，使非晶膜在低于玻璃衬底形变点的温度下结晶。由此形成TFT的有源层。之后n或p型杂质注入有源层，同时将它加热到100至400℃。由于有源层适当加热，立即治愈了离子注入损坏。并同时激活了杂质，而且既不存在缺陷也没有留下形变。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 薄膜晶体管 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种制造薄膜晶体管的方法，包括以下工艺步骤：在衬底的绝缘表面上形成非单晶半导体膜，所述半导体膜加有浓度为1×1015至1×1019原子/厘米3，能促进其结晶的催化元素，和用所述掺杂剂杂质的加速离子与氢或卤素离子一起向带有所述已加热的衬底的所述半导体层注入，使掺杂剂杂质引入部分所述非单晶半导体层中，得到p导电型或N导电型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
