[发明专利]光激发半导体材料响应分析的方法和装置无效
| 申请号： | 96104150.1 | 申请日： | 1996-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1097728C | 公开（公告）日： | 2003-01-01 |
| 发明（设计）人： | Ｍ·瓦格纳;Ｈ·－Ｄ·盖勒 | 申请（专利权）人： | 莱卡显微系统韦茨拉尔股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64;G01R31/265 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 董巍,邹光新 |
| 地址： | 德国韦*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用光激发半导体材料响应分析的方法和装置。根据本发明，激励激光束用两个分立调制频率(Ω1；Ω2)进行强度-调制，由被测物(4)发出的荧光在差频(Ω1-Ω2)下测量，并且把荧光作为调制频率(Ω1；Ω2)算术平均值(Ω)的函数进行分析。本发明用于半导体工业中测量半导体材料的各种电学参数。 | ||
| 搜索关键词： | 激发 半导体材料 响应 分析 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.用于光激发半导体材料响应分析的方法，其中借助一个激光束在一被测物中产生电子能量蓄积，其驰豫过程以由被测物发出荧光辐射的形式被测量，其特征在于，—激励激光束是强度调制的，其中调制频谱具有两个分立的调制频率(Ω1；Ω2)，—由被测物(4)发出的荧光以调制频率(Ω1；Ω2)的差频(Ω1-Ω2)测量，以及—被测量的荧光被作为调制频率(Ω1；Ω2)的算术平均值的函数进行分析。
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