[发明专利]化合物半导体发光器件及其制备方法无效
| 申请号： | 96104423.3 | 申请日： | 1996-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1082255C | 公开（公告）日： | 2002-04-03 |
| 发明（设计）人： | 三浦祥纪;松原秀树;松岛政人;关寿;纐缬明伯 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 董江雄,萧掬昌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种化合物半导体发光器件包括GaAs衬底；形成在衬底上的包括GaN的缓冲层，其厚度为10nm至80nm；形成在缓冲层上的包括AlGaN(0≤x＜1)的外延层；位于缓冲层和外延层之间的界面上的极薄的平面；形成在外延层上的发光层；以及形成在发光层上的覆盖层。在第一温度下通过有机金属氯化物气相外延形成缓冲层，而在高于第一温度的第二温度下通过有机金属氯化物气相外延形成外延层。最好包括InGaN(0＜y＜1)的发光层掺有Mg。$ | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化学和的半导体发光器件，包括：从包括GaAs、GaP、InAs或InP的族中选出的化合物半导体的衬底(1)；形成在所述衬底(1)上的包括GaN的第一导电类型的缓冲层(2)，其厚度为10nm至80nm；形成在所述缓冲层(2)上的包括AlxGa1-xN(0≤x≤1)的第一导电类型的外延层(3)；位于所述缓冲层(2)和所述外延层(3)之间的界面上的极薄的界面层(8)；形成在所述外延层(3)上的由InyGa1-yN(0＜x＜1)组成的发光层(4)；以及形成在所述发光层(4)上的由AlzGa1-zN(0≤z＜1)组成的第二导电类型的覆盖层(5)，第二导电类型与第一导电类型相反。
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