[发明专利]制备桥接金属茂的方法

摘要

通过合成硅－，锗－或锡－取代的配体，有可能用立体有择方法以高收率和纯度制备外消旋和内消旋形式的桥接的、手性的金属茂。这些化合物能够制成它们的外消旋和内消旋形式，然后选择性地转变成相应的金属茂。

主权项

1.外消旋或内消旋形式的桥接金属茂化合物或者其外消旋和内消旋异构体形式的混合物的制备方法，该方法包括以下步骤：(a)使式(I)的桥接的环戊二烯基配体与能够在每一个环戊二烯基上形成非定域阴离子的化合物反应，从而获得相应的双阴离子，其中所述能在环戊二烯基上形成非定域阴离子的化合物选自：碱金属或碱土金属的有机金属化合物、金属氢化物、碱金属或碱土金属、和碱金属或碱土金属的氨化物，其中所述式(I)的桥接的环戊二烯基配体是：式中，在每一个环戊二烯基上的R1、R2、R3和R4取代基可相同或不同并且是C1-C20烷基、C3-C20环烷基、C2-C20链烯基、C6-C20芳基、C7-C20烷基芳基或C7-C20芳基烷基，和任选地含有Si或Ge原子，以及R1、R2、R3和R4中在同一环戊二烯基上的两个相邻的取代基任选地形成具有5-8个碳原子的环，前提是在至少一个环戊二烯基上，R1不同于R4或者R2不同于R3；Y是碳、硅或锗原子；两个R5取代基，可以相同或不同，并且是氢、C1-C20烷基、C3-C20环烷基、C2-C20链烯基、C6-C20芳基、C7-C20烷基芳基或C7-C20芳基烷基，以及两个取代基R5任选地形成具有4-8个碳原子的环；n是1-4的整数；(b)使该双阴离子与通式ZR3Q或(ZR2)mQ2的化合物反应，其中Z是硅、锗或锡原子，R是含有1-10个碳原子的烃基，Q是卤素原子，m是1或2，从而获得外消旋异构体形式的Z-取代的桥接双环戊二烯基配体的混合物；(c)如果需要，分离出至少一部分的一种异构体形式的Z-取代的桥接双环戊二烯基配体；和(d)通过与过渡金属化合物反应，将Z-取代的桥接双环戊二烯基配体转化成所需要的产物，该反应在不与过渡金属化合物配位的液体分散剂中进行。