[发明专利]中低温烧结半导体陶瓷和制备方法无效
| 申请号： | 96106337.8 | 申请日： | 1996-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1092162C | 公开（公告）日： | 2002-10-09 |
| 发明（设计）人： | 李龙土;王德君;桂治轮 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C04B35/47 | 分类号： | C04B35/47;C04B35/472 |
| 代理公司： | 北京清亦华专利事务所 | 代理人： | 罗文群 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种中低温烧结半导体陶瓷及其制备方法，该半导体陶瓷的一般式为(Sr1-xPbx)TiyO3，其中x＝0.1～0.9，y＝0.8～1.2成分中，含有Sr、Pb、Ti等金属元素，总含量为98-99.988mol％，半导化元素含量为0.012-2mol％，添加剂含量为0.2-3mol％。其制备工艺包括配料、球磨、烘干、预烧、粉碎、干燥和烧结。本发明制备的陶瓷具有典型的PTC特性，而且室温电阻率低，升阻比高，耐压强度大。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 烧结 半导体 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种中低温烧结半导体陶瓷，其特征在于该陶瓷的一般式为：(Sr1-xPbx)TiyO3其中x＝0.1～0.9；y＝0.8～1.2
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