[发明专利]制造金属氧化物场效应晶体管的方法无效
| 申请号： | 96106872.8 | 申请日： | 1996-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1076870C | 公开（公告）日： | 2001-12-26 |
| 发明（设计）人： | 高尧焕;黄圣敏 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造金属氧化物硅场效应晶体管的方法，其中的多晶硅层被淀积在起着使ＭＯＳＦＥＴ的栅同ＭＯＳＦＥＴ的基片绝缘作用的栅氧化膜上。当利用金属膜或金属硅化物侧壁作掩模形成栅电极时，多晶硅层起着防止栅氧化膜被腐蚀的作用，所以，当形成栅电极时，可以防止ＭＯＳＦＥＴ的半导体基片和栅电极之间出现短路。$＃! | ||
| 搜索关键词： | 制造 金属 氧化物 场效应 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造金属氧化物硅场效应晶体管的方法，包括以下各步骤：在一块半导体基片上依次层叠栅氧化膜、第一多晶硅层、绝缘膜和第二多晶硅层，部分腐蚀第二多晶硅层，而形成第二多晶硅层图形；利用第二多晶硅层图形作掩模，部分地腐蚀绝缘膜；在上述步骤完成后所得结构的整个裸露的表面上淀积金属膜；各向异性腐蚀金属膜，因而在第二多晶硅层图形两侧壁上分别形成金属膜侧壁；以及利用第二多晶硅层图形和金属膜侧壁作掩模腐蚀第一多晶硅层和栅氧化膜而形成栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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