[发明专利]用于制造半导体器件的方法

摘要

提供一种用于形成半导体器件的方法。依据此方法，以这样的方式形成位线来制造半导体器件，使得硅化物薄膜包围多晶硅图形的上部和侧壁，以及只有侧面被多晶硅层图形包围。与由多晶硅或硅化物单独制成的常规位线相比，多晶硅和硅化物构成的位线的电阻降低了５０％或更多，导致器件工作的可靠性改进。有利于半导体器件的高度集成，此方法可允许位线和其接触孔之间大的工艺容差，从而提高生产的得益率。$＃!

主权项

1．一种用于制造半导体器件的方法，其特征在于包括以下步骤：在半导体衬底上形成第一绝缘薄膜；在第一绝缘薄膜上形成多晶硅层并对多晶硅层进行光刻成形；在所获得的图形上涂以金属层，以便使经成形的多晶硅层在其上表面和侧壁处与金属层接触，并使金属层与多晶硅反应，以在成形的多晶硅层的上表面和侧壁处形成硅化物；除去未与成形的多晶硅层反应的金属层，以形成由硅化物和成形的多晶硅层构成的位线，此位线的宽度大于成形的多晶硅层的宽度；在获得的结构上涂以第二绝缘薄膜；以及在预定的区域对第二绝缘薄膜开口，以形成位线的接触孔。