[发明专利]形成半导体器件接触孔的方法

摘要

形成半导体器件接触孔的方法，防止用作接触孔掩模的光致抗蚀剂膜图案因其下的硼磷硅玻璃（ＢＰＳＧ）膜图案在湿法蚀刻时出现的过度蚀刻而与之分离。包括依次在半导体衬底上涂覆绝缘薄膜和平整的ＢＰＳＧ膜，在８０℃至３５０℃热处理ＢＰＳＧ膜，并用热处理所用同一设备以连续方式沉积光致抗蚀剂膜，除去规定部分以形成图案，将ＢＰＳＧ膜的露出部分湿法蚀刻至所需深度，并对剩余部分和绝缘膜干法蚀刻，形成接触孔。

主权项

1．一种形成半导体器件接触孔的方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成导电层图案；在形成导电层图案后得到的结构上依次涂覆绝缘薄膜和平整的硼磷硅玻璃(BPSG)膜迭层；在80℃至350℃温度范围内对BPSG膜进行热处理，除去BPSG膜暴露在空气中时从空气中吸收到BPSG膜表面部分的水气，以及BPSG膜表面部分存在的磷，并用热处理中所用同一设备以连续方式在BPSG膜上沉积光致抗蚀剂膜；除去光致抗蚀剂膜上的规定部分，由此形成光致抗蚀剂膜图案；将未被光致抗蚀剂膜图案覆盖住的BPSG膜的露出部分湿法蚀刻至所需深度；以及对BPSG膜的剩余部分和绝缘膜进行干法蚀刻，由此形成接触孔。