[发明专利]多层薄膜无效
申请号: | 96106994.5 | 申请日: | 1996-07-31 |
公开(公告)号: | CN1081536C | 公开(公告)日: | 2002-03-27 |
发明(设计)人: | 冢本肇;北田一郎;西本由治 | 申请(专利权)人: | 吴羽化学工业株式会社 |
主分类号: | B32B27/32 | 分类号: | B32B27/32;B32B27/28 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 陈季壮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 适用作(食品)包装材料的挠性多层薄膜包括第一密封层,该层主要由金属茂催化的聚烯烃构成;以及第二密封层,该层由至少一种含氧单体和乙烯的共聚物构成。将该共聚物控制在具有比金属茂催化的聚烯烃的晶体熔点更低的晶体熔点。第二密封层最好具有大于第一密封层的厚度。由于邻接第一密封层设置第二密封层,所得多层薄膜具有改进的成膜性,同时保持了金属茂催化的聚烯烃良好的密封性。$#! | ||
搜索关键词: | 多层 薄膜 | ||
【主权项】:
1.一种多层薄膜,包括至少三层:外层第一密封层,紧邻第一密封层设置的中间层第二密封层,和与第一密封层相反设置的最远层热塑性树脂第三层,第二层设置在第一密封层和最远层第三层之间;所述第一密封层包括多于50%重量的金属茂催化的聚烯烃,所述第二密封层的厚度大于第一密封层的厚度并包括至少一种含氧单体和乙烯的共聚物,第二密封层的共聚物所具有的晶体熔点低于第一密封层的金属茂催化的聚烯烃的晶体熔点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吴羽化学工业株式会社,未经吴羽化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/96106994.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:内燃机内排气阀轴形或活塞形可动壁构件
- 下一篇:图像加热装置