[发明专利]一种半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 96107230.X | 申请日： | 1996-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN1060587C | 公开（公告）日： | 2001-01-10 |
| 发明（设计）人： | 李昶权 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,王岳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一个半导体器件的制造方法，特别是形成场区隔离的一种方法，场氧化膜周围的有源区的一部分用与象沟道截断杂质离子一样的杂质重掺杂的，所以，它把由场氧化的高温产生的低杂质沟道截断区转变成高杂质沟道截断区，以防止器件使用时出现场区反型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种半导体器件的制造方法，此方法包括下列步骤：在晶片上形成一个抗氧化膜；蚀刻所说抗氧化膜的一部分形成一个场区；在所说场区注入沟道截断杂质离子，形成一个沟道截断区；在所说场区形成一个场氧化膜；去掉所说抗氧化膜；和注入与所说沟道截断杂质离子同型的杂质离子而在所说沟道截断区的两侧端形成一个杂质区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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