[发明专利]半导体元件互连器件及其制造方法

摘要

一种制造半导体元件互连器件的方法，该器件连接在半导体衬底上形成的各杂质扩散区，每一杂质扩散区有不同的电导电率。该方法包括，在半导体衬底上形成第１导电类型的阱和第２导电类型的阱，在第２导电类型阱形成不相互接触的第１导电类型杂质扩散区，在第１导电类型阱形成不相互接触的第２导电类型杂质扩散区，在最终结构上面形成绝缘膜，选择地除掉绝缘膜，由此，形成露出第１和第２导电类型的杂质扩散区的接触孔，在最终结构上形成半导体层，在半导体层上面形成硅化物膜，退火最终结构，由此，把第１和第２导电类型杂质扩散区的杂质离子扩散到半导体层中。

主权项

1.一种半导体元件互连器件，连接在半导体衬底上形成的杂质扩散区，各杂质扩散区有不同的导电率，该器件包括：在半导体衬底上形成的第1导电类型的阱和第2导电类型的阱，第1导电类型的阱有第2导电类型的杂质扩散区，而第2导电类型的阱有第1导电类型的杂质扩散区；在半导体衬底上形成绝缘膜，绝缘膜限定接触孔，分别露出第1和第2导电类型杂质扩散区；第1杂质扩散半导体层和第2杂质扩散半导体层分别形成在各自接触孔底部露出的第1和第2导电类型的杂质扩散区；在第1和第2杂质扩散半导体层上形成硅化物膜，并且相互连接它们。