[发明专利]制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法

摘要

公开了一种制造MOSFET的方法，其包括下列步骤，在半导体衬底上形成栅氧化层；在所述栅氧化层上淀积本征半导体层；在所述本征半导体层上形成摻杂半导体层所述本征半导体层和摻杂半导体进行退火处理，把所述摻杂半导体层中的杂质扩散到本征半导体层中，使所述本征半导体层和摻杂半导体层形成图形，以便形成栅电极，因此，可能防止由于杂质引起的氧化层特性变坏，由于渗入杂质而使栅氧化膜变厚和器件工作变坏。$#!

主权项

1.一种制造金属氧化物场效应晶体管的方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成栅氧化层；以及在所述的栅氧化层上淀积本征半导体层，其特征在于所述方法还包括：在所述本征半导体层上形成掺杂半导体层，其中所述本征半导体层的晶界小于所述掺杂半导体层的晶界；退火所述本征半导体层和掺杂半导体层，把掺杂半导体层中的杂质扩散入所述本征半导体层中；以及把所述本征半导体层和所述掺杂半导体层形成图形，以便形成栅电极。