[发明专利]用锗进行硅/硅键合的方法及其制备的硅器件衬底片无效
| 申请号： | 96108505.3 | 申请日： | 1996-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1042775C | 公开（公告）日： | 1999-03-31 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;徐晓辉;张文智;张德臣;张志花 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 南开大学专利事务所 | 代理人： | 李国茹 |
| 地址： | 300130*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种用锗进行硅／硅键合的方法及其制备的硅器件衬底片，其主要技术特征是在硅抛光片上淀积锗层，然后两片相对锗层在中间，放入烧结炉内键合，可制备N-/N+、Ｐ-/Ｐ+、Ｐ-/Ｎ+、Ｎ-/Ｐ+、Ｎ-/Ｐ－、Ｎ＋/Ｐ＋型硅器件衬底片。用这种方法进行硅／硅键合，键合区无空洞，键合率高达９５％以上。其制得的衬底片键合区不存在污染层、多晶层、氧化层。键合强度可达到体硅水平。从而可使制得的硅器件性能得到大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 进行 硅键合 方法 及其 制备 器件 衬底 | ||
【主权项】：
1、一种硅/硅键合的方法，其特征在于：用锗进行硅/硅键合，其工艺步骤是：(1)清洗待处理的抛光硅片；(2)将清洗后的洁净抛光硅片，放进通入氢气的外延炉内，在常压或负压下，赶气升温至1100～1200℃；(3)在上述温度下，用氢气带入卤气或卤化物气体，其流量是1l/min，进行气相抛光，去除硅片损伤层及沾污层1-10μm；(4)将上述外延炉赶气降温至300～1000℃，用氢气携带锗的化合物通入炉内，其通入量为0.01l～2l/min，同时进行掺杂，淀积锗层，淀积时间为0.5～30min，淀积厚度为1～3000nm；(5)将外延炉缓慢降温至室温，取出硅片；(6)将上述处理好的硅片，两片相对锗层在中间，放入烧结炉内，在740～990℃下键合20～50分钟；(7)将烧结炉缓慢降温至室温，取出，即制得用锗进行硅/硅键合的硅器件衬底片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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