[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

摘要

一种含存储单元和开关元件的半导体存储器件，及制造该器件的方法：在第一导电类型的半导体衬底上形成岛状场绝缘膜；在所述第一导电类型的所述半导体衬底上，沿所述场绝缘膜之间的列方向形成第二导电类型的杂质区；在衬底和场绝缘膜的整个表面上形成第一栅绝缘膜；在所述第二导电类型的多个杂质区之间的所述第一栅绝缘膜和场绝缘膜上形成浮动栅电极，以便重复制作所述第一导电类型与第二导电类型杂质区；在所述第一栅绝缘膜和所述浮动栅电极的整个表面上形成第二栅绝缘膜；在所述场绝缘膜间的所述第二栅绝缘膜上，沿与所述浮动栅电极垂直的方向，形成控制电极；以及在多个控制电极之间形成传输晶体管的栅电极。

主权项

1.一种半导体存储器件，包括：多个存储单元，每一个存储单元具有一个浮动栅电极；和多个传输晶体管，所述传输晶体管用电荷向各自存储单元的所述浮动栅电极充电、和切换以便使所述已充入的电荷放电；其中所述多个传输晶体管串联连接，并且在每个传输晶体管的栅电极两侧的所述浮动栅电极被分别用作源极和漏极区域。