[发明专利]掺碳的锂锰氧化物的制造方法无效
申请号: | 96108698.X | 申请日: | 1996-07-22 |
公开(公告)号: | CN1087875C | 公开(公告)日: | 2002-07-17 |
发明(设计)人: | 权镐真;朴杰范;金健 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01M4/50 | 分类号: | H01M4/50 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 杨梧 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了一种掺碳的锂锰氧化物及其制造方法,其中掺碳的锂锰氧化物是细的均匀粉末状的,具有优良的导电性,可以独立地用作锂二次电池的电极材料,不需任何其它导电材料。 | ||
搜索关键词: | 氧化物 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造掺碳的锂锰氧化物的方法,包括如下步骤:配制可溶锂化合物和锰化合物的混合溶液,其中包含的锂离子和锰离子的摩尔比是1∶2;将聚乙二醇加入到所述的混合溶液中,其聚合物重复单元与锂锰离子总数的摩尔比是1到10;在搅拌此混合液的同时在60-80℃下干燥混合液,直到得到一种凝胶;以及在200~300℃下预处理所述凝胶并随后在400-800℃下加热该经预处理的凝胶。
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