[发明专利]动态随机存取存储器的电容的制造方法

摘要

一种动态随机存取存储器的电容的制造方法，包括在一接触窗中形成电容的储存电极的栅状导电层；在栅状导电层表面上形成的介电层；以及，在介电层表面形成电容单元电极的第二导电层。其中，栅状导电层包括崎岖状导电层和第一层电层。栅状导电层的形成方式是利用一个过蚀刻步骤使光刻胶形成微光刻胶，然后以微光刻胶为掩膜，继续蚀刻而成。这种方法可提高存储器集成度。

主权项

1、一种动态随机存取存储器的电容的制造方法，包括下列步骤：a、提供一硅衬底，该硅衬底上已形成有场区氧化层、一第一介电层、一晶体管与一接触窗，其中，该晶体管包括源极/漏极区，且该接触窗形成在该源极/漏极区之一的上方；b、在该接触窗中与该第一介电层上方形成一第一导电层，与该源极/漏极区之一电耦合连接；c、在该第一导电层上方形成一崎岖状导电层；d、利用光掩膜上光刻胶，蚀刻该崎岖状导电层与该第一导电层，形成一栅状导电层，用以作为该电容的储存电极；e、在该栅状导电层表面形成一第二介电层；以及f、在该第二介电层表面形成一第二导电层，以构成该电容的单元电极；其中，步骤d的蚀刻步骤包括主蚀刻步骤与过蚀刻步骤，首先利用主蚀刻步骤来蚀刻该崎岖状导电层与该第一导电层；之后，利用过蚀刻步骤在该崎岖状导电层上形成多个微光刻胶；以所述微光刻胶为掩膜，继续利用过蚀刻步骤蚀刻该崎岖状导电层与该第一导电层，以形成该栅状导电层。